STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
59 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
- Полное описание
Технические параметры
| Технология/семейство | powermesh |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 20 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 14.2 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 72 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | d2-pak |
| Вес, г | 2.5 |


![картинка STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]](/upload/iblock/611/6113fae269dc6425260eacdadb5d53a5.jpg)