FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

150 руб.

Заказать

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство	npt trench
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A	50
Импульсный ток коллектора (Icm), А	90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	312
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс	50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс	190
Рабочая температура (Tj), C	-55…+150
Корпус	to-3p
Вес, г	6.5