FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
![картинка FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]](/upload/iblock/3b4/3b41d728ee30b7045453d308cf6bbd3e.jpg "картинка FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
190 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Технические параметры
| Технология/семейство | field stop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 349 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 12 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 92 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+175 |
| Корпус | to-247 |
| Вес, г | 7.5 |