FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
220 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Технические параметры
| Технология/семейство | field stop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 21 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 126 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |
| Вес, г | 7.5 |


![картинка FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]](/upload/iblock/c6f/c6fabfd933ea928d39a0f0a5c77c7800.jpg)