HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
![картинка HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]](/upload/iblock/f2a/f2a207f566020db0a882246dc0a16ec6.jpg "картинка HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
190 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
Корпус TO-247-3
Технические параметры
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 35 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 80 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 298 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 23 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 165 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |
| Вес, г | 7.5 |