HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
![картинка HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]](/upload/iblock/b84/b842e4ffaf8db290e7ed44c3ccfb8b43.jpg "картинка HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
200 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
Тип упаковки-Tube (туба), Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Корпус TO-247-3
Корпус TO-247-3
Технические параметры
| Технология/семейство | SMPS |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 70 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 280 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 15 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 73 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |
| Вес, г | 7.5 |