IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А, [ТО-247АС]
![картинка IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А, [ТО-247АС]](/upload/iblock/8b9/8b932d068d672094783aa0ce6f231bc9.jpg "картинка IRG4PC40WPBF, IGBT 600В 40А, [ТО-247АС] являющийся официальным дистрибьютором в России")
- Производитель
- Infineon Technologies
- Полное описание
The IRG4PC40WPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor designed expressly for switch-mode power supply and PFC (power factor correction) applications. The latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability. It features lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode). Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >,300kHz).
• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% Reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher
Технические параметры
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 40 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 160 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 27 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 100 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | to-247ac |
| Вес, г | 7.5 |