IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]
![картинка IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]](/upload/iblock/dda/dda0dfee763f2417989495a6553c49f2.jpg "картинка IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247] являющийся официальным дистрибьютором в России")
700 руб.
- Производитель
- International Rectifier
- Полное описание
The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
• Creepage distance increased to 5.35mm
• High efficiency
• Maximum power density
• Optimized for specific application conditions
• HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs
Технические параметры
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25C, A | 85 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 350 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс | 90 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс | 245 |
| Рабочая температура (Tj), C | -55…+150 |
| Корпус | super-247 |
| Вес, г | 8 |