2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
6 руб.
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
Цена 6 руб. за 1 шт
Количество- Полное описание
NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
Технические параметры
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | to-92 |
Вес, г | 0.3 |