2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]

NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер

Технические параметры

Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	50
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.35
Корпус	to-92
Вес, г	0.3