BT169D.112, Тиристор, [TO-92]
![картинка BT169D.112, Тиристор, [TO-92]](/upload/iblock/69e/69e6625b93d7e4205d96816fd1d7f238.jpg "картинка BT169D.112, Тиристор, [TO-92] являющийся официальным дистрибьютором в России")
11 руб.
- Производитель
- WeEn Semiconductors
- Полное описание
Phase Control Thyristors, NXP Semiconductors
Технические параметры
| Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 400 |
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В | 400 |
| Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 0.8 |
| Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А | 8 |
| Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В | 1.5 |
| Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.2 |
| Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В | 0.8 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 25 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 25 |
| Время включения tвкл.,мкс | 2 |
| Рабочая температура,С | -40…125 |
| Корпус | to92 |
| Вес, г | 0.3 |