MCR100-8G, Тиристор 0.8А 600В, [TO-92]
![картинка MCR100-8G, Тиристор 0.8А 600В, [TO-92]](/upload/iblock/73d/73dcc157ec36e53e5de17626fcf97eb7.jpg "картинка MCR100-8G, Тиристор 0.8А 600В, [TO-92] являющийся официальным дистрибьютором в России")
19 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
- Полное описание
MCR100-8G
Корпус TO-92-3, Тип управляемого диода Тиристор, Ток коммутации номинальный 800 мА, Максимальное рабочее напряжение 800 В
Корпус TO-92-3, Тип управляемого диода Тиристор, Ток коммутации номинальный 800 мА, Максимальное рабочее напряжение 800 В
Технические параметры
| Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 600 |
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В | 600 |
| Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 0.8 |
| Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А | 10 |
| Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В | 1.7 |
| Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.0002 |
| Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В | 1.2 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 10 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 10 |
| Время включения tвкл.,мкс | 2 |
| Рабочая температура,С | -40…125 |
| Корпус | to92 |
| Вес, г | 0.3 |