BAV21.113, Диод 250мА 200В 50нс [DO-35]
3 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
- Полное описание
Small Signal Switching Diodes, Nexperia
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 200 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 250 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.625 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 100 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.2 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.05 |
| Общая емкость Сд,пФ | 5 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.2 |


![картинка BAV21.113, Диод 250мА 200В 50нс [DO-35] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка BAV21.113, Диод 250мА 200В 50нс [DO-35]](/upload/iblock/cde/cde9b5f999563a2eca12e3d8d6c92f8b.jpg)