BAS216,115, Диод импульсный 4нс 250В 200мА [SOD-110]
![картинка BAS216,115, Диод импульсный 4нс 250В 200мА [SOD-110]](/upload/iblock/51e/51e69be0f6bdaa19b62ecb353dde91fe.jpg "картинка BAS216,115, Диод импульсный 4нс 250В 200мА [SOD-110] являющийся официальным дистрибьютором в России")
10 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
- Полное описание
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 85 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.25 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.004 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sod110 |
| Вес, г | 0.05 |